’Typical feature size’ vs tid for Si-DRAM (Moore’s lov) Figure 9.3
13/ Bipolar Transistor
Bipolar Junction Transistor (BJT) Gjennombrudd for halvlederelektronikk 1948, oppfinning av transistoren; Bardeen, Brattain og Shockley, Bell Laboratories Både elektroner og hull brukes for funksjonen (injeksjon og oppsamling av minoritetsbærare) betegningen bipolar To hovedområden for anvendelse; strømforsterkning og switching; f.eks. mobiltelefoner og satelliter (radio- kommunikasjon), datorer og minnen Oftest npn-transistorer som brukes på grunn av den høye elektronmobiliteten Normalt raskere enn MOSFET men bruker mer effekt…og forskjellen i ’raskhet’ har blitt mindre…
Bipolar p-n-p transistor Figure 7.2
Figure 7.3 Fluks av e - og h + i BJT
n-p-n BJT EmitterCollectorBase Figure 7.5
Figure 7.6 Simplified p-n-p transistor geometry used in the calculations. ForspendRevers-spend
Strømmer i bipolar p-n-p transistor (7-18a) (7-18b) (7-19)
For god transistorvirken B 1; dvs tunn base så at W base << L p,n 1;dvs strømmen gjennom E-B-overgangen skal bestå av min.bærarere injicerade fra emittern. Dette realiseres via hard doping av E relativt B.
Basviddmodulasjon (Early-effekt) W(V 0 ) Early spenning β =I C /I B = p / t øker med |V CB | Figure 7.18
Energibarriere i homo-BJT og HBT BJT HBT Figure 7.26