INF3400 Del 3 Oppgaver Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.

Slides:



Advertisements
Liknende presentasjoner
2008 INF3400 Interkonnekt Introduksjon INF3400 Interkonnekt Motstand i interkonnekt.
Advertisements

INF3400 Del 13 Teori Interkonnekt. Introduksjon INF3400 Interkonnekt Motstand i interkonnekt.
Felteffekt-transistor FET
Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.10 INF 1411 Oppsummeringsspørsmål Transistorer INF
Lightning Talks Oslo XP meetup juli Johannes Brodwall.
Figur 1 Behov. Figur 2 Behov Figur 3 Prioritering/ressursinnsats.
Figur 1 Behov. Figur 2 Behov Figur 3 Behov Figur 4 Behov.
Figur 1 Behov. Figur 2 Behov Figur 3 Prioritering/ressursinnsats.
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
INF3400 Del 15 Avansert CMOS. Hvordan er fremtiden for CMOS? Introduksjonstidspunkt av ulike teknologier:Transistor lengde, wire pitch og maks. effekt:
2007 INF3400/4400 våren 2007 Tidsforsinkelse i logiske kjeder Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter Logisk effort i kjede: Elektrisk effort i kjede:
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 11 Teori Latcher og vipper.
2008 INF3400 Latcher og vipper Konvensjonelle CMOS latcher Problemer: 1.Terskelfall 2.Ukjent last 3.Ukjent drivegenskaper Definert drivegenskaper Definert.
INF3400 Del 5 Løsningsforslag Statisk digital CMOS.
INF3400/4400 Effektforbruk og statisk CMOS
2007 INF3400/4400 våren 2007 Effektforbruk og statisk CMOS Svak inversjon Når gate source spenningen er lavere enn terskelspenningen: der: Korte kanaler.
INF3400/4400 våren 2007 Grunnleggende digital CMOS
INF1400 – Kap 10 CMOS Teknologi. Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS teknologiutvikling CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR.
INF3400 Del 1 Oppgaver Grunnleggende Digital CMOS.
Effektforbruk og statisk CMOS
INF3400 Del 8 Effektforbruk og statisk CMOS. Introduksjon til effektforbruk Effektforbruk: Effektforbruk over en tidsperiode T: Gjennomsnittelig effektforbruk.
Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess
Repetisjon INF1400.
Lab 3 - Diodekarakteristikker
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
INF3400 Del 5 Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
2007 INF3400/4400 våren 2007 Sekvensielle kretser Introduksjon til sekvensielle kretser.
INF3400 Del 9 Dynamisk CMOS. Introduksjon til dynamisk CMOS KomplementærPseudo nMOSDynamisk ” Footed ” dynamisk.
INF3400 Del 9 Teori Dynamisk CMOS. Introduksjon til dynamisk CMOS Komplement ær Pseudo nMOS Dynamisk ”Footed” dynamisk.
INF3400 Del 3,4,5-8 Repetisjon Statisk digital CMOS.
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS MOS transistor i tverrsnitt Halvleder Silisum:pn overgang:
INF3400 Del 8 Oppgaver Effektforbruk og statisk CMOS.
Transistorforsterkere - oppsummering
2008 INF3400/4400 Del 5 Statisk digital CMOS Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
INF3400 Del 9-12 Repetisjon Dynamisk CMOS og sekvensielle kretser.
INF3400 Del Repetisjon Transistor modell. Transistor tverrsnitt: nMOS transistor pMOS transistor.
INF3400 Del 8 Teori Effektforbruk og statisk CMOS.
2008 INF3400/4400 Del 3 Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor CMOS inverter og DC karakteristikk CMOS inverter:
INF1400 – Kap 1 Digital representasjon og digitale porter
INF3400 Del 1 Teori Grunnleggende Digital CMOS. INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V.
Lab 4 – Transistorer og transistorforsterker Litteratur: Kap 19 og 20 og forelesningsfoiler.
INF3400 Del 2 Teori Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess.
INF3400 Del 1 Teori og oppgaver Grunnleggende Digital CMOS.
1 SKOLELABORATORIET Simulering av elektroniske kretser Av Nils Kr. Rossing Skolelaboratoriet ved NTNU
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer.
Power supply – Spenningsregulator kap. 25
Koble en elektrisk krets
Introduksjon til dynamisk CMOS
INF3400 Del 11 Teori Latcher og vipper.
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 11 Teori Latcher og vipper.
Grunnleggende Digital CMOS
INF3400 Del 3 Teori Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.
Introduksjon til dynamisk CMOS
FET (Field Effect Transistor)
INF3400 Del 9 Oppgaver Dynamisk CMOS.
CMOS fabrikasjonsprosess og utleggsregler
Grunnleggende Digital CMOS
فیروز همتی آقای دکتر نجفی اقدم زمستان 93
Digital mikroelektronikk Våren 2013
INF3400 Del Repetisjon.
INF3400 Del 9 Teori Dynamisk CMOS.
Felt-Effekt-Transistor FET
Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess
Utskrift av presentasjonen:

INF3400 Del 3 Oppgaver Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor

Oppgave 2.14 Petter Fallgruve tilbyr lisens på sin nye patenterte ikke-inverterende buffer som er vist i figuren under. Hvordan vil DC karakteristikken til denne kretsen se ut? Hvorfor representerer dette en dårlig ide? Source Drain

Oppgave Anta en ideel nMOS transistor i en 350nm CMOS prosess. Bruk matlab og lag et plott som viser DC karakteristikk for en inverter med  p  n,  p =  n og  p = 5  n.

Oppgave 2.17 Finn støymarginen for en CMOS inverter ved å bruke analytiske utrykk for utgangsspenning som funksjon av inngangsspenning. Anta at spenningsforsyningen er V DD = 3.0V og V tn = -V tp = V t = 0.5V, og  n =  p. Ser på V ut som funksjon av V in : Deriverer og setter lik -1: Finner V OH :

Oppgave Finn et analytisk uttrykk for V ut som funksjon av V tn, V tp,  n og  p for en pseudo- nMOS inverter. Anta at inngangsspenningen er lik VDD. Dette gir løsningen:

INF3400/4400 Del 3 Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor Oppgave 2.6 Anta en nMOS transistor i en 0.6  prosess med en gateoksid tykkelse på 100Å. Anta at dopenivået er N A =2xe17/cm og at nominell terskelspenning er 0.7V. Anta at substratet er jordet. Hva blir endringen i terskelspenningen ved romtemperatur når source økes fra 0V til 4V? 3 Overflatepotensialet:c Oksidkapasitans: Bodyeffektparameter: Effektiv terskelspenning: Endring i terskelspenning: 0.96V

INF3400/4400 Del 3 Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor Oppgave 2.21