INF3400 Del 1 - 4 Repetisjon.

Presentasjon om: "INF3400 Del 1 - 4 Repetisjon."— Utskrift av presentasjonen:

1 INF3400 Del 1 - 4 Repetisjon

2 INF3400 Grunnleggende digital CMOS
May 2004 Transistormodellen: INF3400 Grunnleggende digital CMOS Håvard Kolle Riis

3 pMOS transistormodell:
May 2004 pMOS transistormodell: Drain Source Håvard Kolle Riis

4 May 2004 I-V karakteristikker Håvard Kolle Riis

5 Støymargin Høyeste inngang tolkes som 0.
May 2004 Høyeste inngang tolkes som 0. Høyeste utgang defineres som 0. Laveste inngang tolkes som 1. Laveste utgang defineres som 1. Håvard Kolle Riis

6 Kanalforkortning (kanallengdemodulasjon)
May 2004 Kanalforkortning (kanallengdemodulasjon) Liten Vgd (som indirekte gir stor Vds) betyr at det ikke dannes kanal ved drain siden. En høy drain spenning vil skyve kanalen mot source siden: Den effektive kanallengden vil bli mindre enn nominell (tegnet) lengde: Dette betyr at strømmen vil stige for økende Vds i metning og kan modelleres som: Håvard Kolle Riis

7 May 2004 Håvard Kolle Riis

8 Gatekapasitans detaljer
May 2004 Gatekapasitans detaljer Ubiasert gatekapasitans: Operasjonsområde AV: Operasjonsområde LINEÆR: Overlappskapasitanser (statiske): Operasjonsområde METNING: Gatekapasitans: Håvard Kolle Riis

9 May 2004 Håvard Kolle Riis

10 Diffusjonskapasitans detaljer
May 2004 Diffusjonskapasitans detaljer Diffusjonskapasitans source: der: Håvard Kolle Riis

11 RC forsinkelsesmodeller
May 2004 RC forsinkelsesmodeller Håvard Kolle Riis

12 Hastighetsmetning Hastigheten til ladningsbærere: AV LINEÆR der:
May 2004 Hastighetsmetning Hastigheten til ladningsbærere: AV LINEÆR der: METNING Transistormodeller: AV Metningsspenning LINEÆR METNING Håvard Kolle Riis

13 May 2004 Håvard Kolle Riis