Presentasjon lastes. Vennligst vent

Presentasjon lastes. Vennligst vent

INF3400 Del 3 Teori Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.

PublisertIngunn Holen Endret for 5 år siden

Liknende presentasjoner

Presentasjon om: "INF3400 Del 3 Teori Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor."— Utskrift av presentasjonen:

1 INF3400 Del 3 Teori Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor

2 May 2004 Transistormodellen: Håvard Kolle Riis

3 May 2004 I-V karakteristikker Håvard Kolle Riis

4 CMOS inverter og DC karakteristikk
May 2004 CMOS inverter og DC karakteristikk CMOS inverter: Håvard Kolle Riis

5 pMOS transistor: nMOS transistor: AV Lineær Metning Vsgp < |Vtp|
May 2004 pMOS transistor: AV Lineær Metning Vsgp < |Vtp| Vsgp > |Vtp| Vsgp >|Vtp| Vinn > VDD+Vtp Vinn < VDD+Vtp Vsdp < Vdsat Vsdp > Vdsat Vsdp < Vsgp - |Vtp| Vsdp > Vsgp - |Vtp| -Vut < Vtp - Vinn -Vut > Vtp - Vinn Vut > Vinn - Vtp Vut < Vinn - Vtp nMOS transistor: AV Lineær Metning Vgsn < Vtn Vgsn > Vtn Vinn < Vtn Vinn > Vtn Vdsn < Vgsn - Vtn Vdsn > Vgsn - Vtn Vut < Vinn - Vtn Vut > Vinn - Vtn Håvard Kolle Riis

6 May 2004 PÅ, lineær AV Område A: Håvard Kolle Riis

7 May 2004 Område B: PÅ, lineær PÅ, metning Håvard Kolle Riis

8 May 2004 Område C: PÅ, metning PÅ, metning Håvard Kolle Riis

9 May 2004 Område D: PÅ, metning PÅ, lineær Håvard Kolle Riis

10 May 2004 AV Område E: PÅ, lineær Håvard Kolle Riis

11 May 2004 Inverter transisjon: I områdene B, C og D er begge transistorene PÅ, slik at det går en strøm mellom spenningsforsyningene. Håvard Kolle Riis

12 Transistorstørrelser
May 2004 Transistorstørrelser Håvard Kolle Riis

13 Støymargin Høyeste inngang tolkes som 0.
May 2004 Støymargin Høyeste inngang tolkes som 0. Høyeste utgang defineres som 0. Laveste inngang tolkes som 1. Laveste utgang defineres som 1. Håvard Kolle Riis

14 Kanalforkortning (kanallengdemodulasjon)
May 2004 Kanalforkortning (kanallengdemodulasjon) Liten Vgd (som indirekte gir stor Vds) betyr at det ikke dannes kanal ved drain siden. En høy drain spenning vil skyve kanalen mot source siden: Den effektive kanallengden vil bli mindre enn nominell (tegnet) lengde: Dette betyr at strømmen vil stige for økende Vds i metning og kan modelleres som: Håvard Kolle Riis

15 May 2004 Håvard Kolle Riis

16 Invertere med statisk last
May 2004 Invertere med statisk last Motstand: Strømkilde: Håvard Kolle Riis

17 May 2004 Pseudo nMOS inverter Strømforbruk: Håvard Kolle Riis

18 May 2004 Body effekt Modell: der: Håvard Kolle Riis

19 Pass transistor DC karakteristikk
Terskelfall:

Laste ned ppt "INF3400 Del 3 Teori Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor."

Liknende presentasjoner

Felteffekt-transistor FET

Felteffekt-transistor FET
2009 2014 Forelesning nr.10 INF 1411 Oppsummeringsspørsmål Transistorer 20.03.2014INF 1411 1.

Forelesning nr.10 INF 1411 Oppsummeringsspørsmål Transistorer INF
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
INF3400 Del 15 Avansert CMOS. Hvordan er fremtiden for CMOS? Introduksjonstidspunkt av ulike teknologier:Transistor lengde, wire pitch og maks. effekt:

INF3400 Del 15 Avansert CMOS. Hvordan er fremtiden for CMOS? Introduksjonstidspunkt av ulike teknologier:Transistor lengde, wire pitch og maks. effekt:
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.

INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.

INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 11 Teori Latcher og vipper.

INF3400 Del 11 Teori Latcher og vipper.
2008 INF3400 Latcher og vipper Konvensjonelle CMOS latcher Problemer: 1.Terskelfall 2.Ukjent last 3.Ukjent drivegenskaper Definert drivegenskaper Definert.

2008 INF3400 Latcher og vipper Konvensjonelle CMOS latcher Problemer: 1.Terskelfall 2.Ukjent last 3.Ukjent drivegenskaper Definert drivegenskaper Definert.
INF3400 Del 5 Løsningsforslag Statisk digital CMOS.

INF3400 Del 5 Løsningsforslag Statisk digital CMOS.
INF3400/4400 Effektforbruk og statisk CMOS

INF3400/4400 Effektforbruk og statisk CMOS
2007 INF3400/4400 våren 2007 Effektforbruk og statisk CMOS Svak inversjon Når gate source spenningen er lavere enn terskelspenningen: der: Korte kanaler.

2007 INF3400/4400 våren 2007 Effektforbruk og statisk CMOS Svak inversjon Når gate source spenningen er lavere enn terskelspenningen: der: Korte kanaler.
INF3400/4400 våren 2007 Grunnleggende digital CMOS

INF3400/4400 våren 2007 Grunnleggende digital CMOS
INF3400 Del 3 Oppgaver Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.

INF3400 Del 3 Oppgaver Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.
INF1400 – Kap 10 CMOS Teknologi. Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS teknologiutvikling CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR.

INF1400 – Kap 10 CMOS Teknologi. Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS teknologiutvikling CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR.
Effektforbruk og statisk CMOS

Effektforbruk og statisk CMOS
INF3400 Del 8 Effektforbruk og statisk CMOS. Introduksjon til effektforbruk Effektforbruk: Effektforbruk over en tidsperiode T: Gjennomsnittelig effektforbruk.

INF3400 Del 8 Effektforbruk og statisk CMOS. Introduksjon til effektforbruk Effektforbruk: Effektforbruk over en tidsperiode T: Gjennomsnittelig effektforbruk.
Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess

Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:

INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
INF3400 Del 5 Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:

INF3400 Del 5 Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.

2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.

Liknende presentasjoner

Annonser fra Google