Felteffekt-transistor FET

Slides:

Advertisements

Liknende presentasjoner

Elektrisitetslære og elektronikk Vitensenteret, Trondheim

Advertisements

Juni 2008 Momenter som kan innvirke på kvaliteten av MT og PT NDT-konferansen Haugesund 1. til 3. juni 2008 Momenter som kan innvirke på kvaliteten av.

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.10 INF 1411 Oppsummeringsspørsmål Transistorer INF

Systemstabilitet Spenningsstabilitet

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer

Frekvensfilter – Kap 23 i Paynter

Forelesning nr.14 INF 1411 Elektroniske systemer Oppsummering INF

Kapittel 17 Dioder Halvledere – Semiconductors

INF3400/4400 Effektforbruk og statisk CMOS

2007 INF3400/4400 våren 2007 Effektforbruk og statisk CMOS Svak inversjon Når gate source spenningen er lavere enn terskelspenningen: der: Korte kanaler.

INF3400/4400 våren 2007 Grunnleggende digital CMOS

1 Transistorforsterkere - oppsummering Spenningsforsterker – klasse A Med avkoplet emitter – og uten Forsterkeren inverterer signalet – faseskift 180 o.

Elektronikk med prosjektoppgaver FYS vår 2014

INF3400 Del 3 Oppgaver Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.

INF1400 – Kap 10 CMOS Teknologi. Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS teknologiutvikling CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR.

Effektforbruk og statisk CMOS

INF3400 Del 8 Effektforbruk og statisk CMOS. Introduksjon til effektforbruk Effektforbruk: Effektforbruk over en tidsperiode T: Gjennomsnittelig effektforbruk.

Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess

rπ og gm kalles småsignalparametere

Lab 3 - Diodekarakteristikker

Vekselstrøm / spenning – AC = Alternating Current / spenning

INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:

INF3400 Del 5 Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:

2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.

2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.

Transistorer – en alternativ presentasjon

INF3400 Del 3,4,5-8 Repetisjon Statisk digital CMOS.

2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS MOS transistor i tverrsnitt Halvleder Silisum:pn overgang:

Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210

Transistorforsterkere - oppsummering

2008 INF3400/4400 Del 5 Statisk digital CMOS Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:

’Typical feature size’ vs tid for Si-DRAM (Moore’s lov) Figure 9.3.

INF3400 Del Repetisjon Transistor modell. Transistor tverrsnitt: nMOS transistor pMOS transistor.

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger

INF3400 Del 8 Teori Effektforbruk og statisk CMOS.

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger

2008 INF3400/4400 Del 3 Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor CMOS inverter og DC karakteristikk CMOS inverter:

INF3400 Del 1 Teori Grunnleggende Digital CMOS. INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V.

Transistorforsterkere - oppsummering

Electronics Technology Fundamentals

Transistorforsterkere - oppsummering

Det betyr at signalet opplever en kondensator som er (1+A) ganger større enn den fysiske kondensatoren som ligger mellom utgang og inngang – Millerkapasiteten.

Elektronisk løgndetektor

INF3400 Del 2 Teori Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess.

INF3400 Del 1 Teori og oppgaver Grunnleggende Digital CMOS.

1 SKOLELABORATORIET Grunnleggende elektronikk Av Nils Kr. Rossing Skolelaboratoriet ved NTNU.

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer.

Transistorer – en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap Temapunkter for de 3 neste ukene Beskrive struktur og virkningsmekanismer i bipolare.

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer.

Transistorer og lysdioder - elektronikkens arbeidshester

Grunnleggende Digital CMOS

INF3400 Del 3 Teori Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.

FET (Field Effect Transistor)

INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS.

Transistorer – en alternativ presentasjon

CMOS fabrikasjonsprosess og utleggsregler

Grunnleggende Digital CMOS

| Af |>| A | | Af |<| A |

rπ og gm kalles småsignalparametere

INF3400 Del Repetisjon.

| Af |>| A | | Af |<| A |

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger

rπ og gm kalles småsignalparametere

INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS.

Felt-Effekt-Transistor FET

Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess

Utskrift av presentasjonen:

Felteffekt-transistor FET BJT FET Felteffekt-transistor FET Spenningskontrollert strømkilde ∞ Småsignalmodeller BJT vs FET - FET har en MEGET stor inngangsmotstand i forhold til en BJT Ladningstransport i en FET skjer ved MAJORITETSBÆRERE. Vi kaller derfor en FET for en UNIPOLAR komponent (device) MOSFET n-kanal To typer FET : MOSFET og JFET MOSFET : Metall Oksyd Felt Effekt Transistor JFET : Junction Felt Effekt Transistor JFET n-kanal Fordeler med FET : Meget stor inngangsmotstand. Vil ikke belaste signalkilden så mye som en BJT. Ulemper med FET : For samme arbeidsstrøm (IC = ID) vil en FET ha mye lavere transkonduktans gm enn en BJT – Det betyr mindre forsterkning – Typisk FET gm = 2 -10 mS n-kanal JFET

Felteffekt-transistor FET n-kanal JFET JFET : Junction Felt Effekt Transistor Mellom p- og n- dannes et sperresjikt (som i en vanlig diode). Når vi øker spenningen i sperreretningen - øker tykkelsen på dette sjiktet. Vi når fort en verdi (Pinch-Off Voltage VP) hvor det bare blir en meget tynn kanal som kan lede strøm mellom S og D. Økes spenningen – øker lengden av denne tynne kanalen. Vi er inne i det ”flate” område på karakteristikken. breakdown voltage (VBR) N-kanal JFET som forsterker

Felteffekt-transistor FET JFET : Junction Felt Effekt Transistor På samme måte som under bipolare junction transistorer innføres her Transconductance gm. Men som vi ser av kurven for ID vs. VGS – er dette ingen eksponentialfunksjon. Det betyr at gm for en JFET blir langt mindre enn for en BJT Typiske verdier for JFET Typiske verdier for en n-kanal forsterker Spenningsforsterkning Husk - gm for en BJT var 40 – 80 mS

MOSFET : Metall Oksyd Felt Effekt Transistor E-MOSFET 2 typer MOSFET Enhansment MOSFET ( Normalt av ) Depletion MOSFET ( Normalt på ) Depletion MOSFET ( Normalt på ) Uten spenning på Gate eksisterer en ledende kanal mellom Source og Drain. Gate - Source spenningen ( VGS ) bestemmer hvor ”åpen” kanalen mellom Source og Drain skal være D-MOSFET

MOSFET : Metall Oksyd Felt Effekt Transistor Enhansment MOSFET ( Normalt av ) Gate - Source må ha en tilstrekkelig høy pos. spenning ( VGSth ) før det etableres en ledende kanal mellom Source og Drain. E-MOSFET E-MOSFET må ha pos. spenning på Gate før den leder strøm

MOSFET : Metall Oksyd Felt Effekt Transistor Anvendelser MOSFET brukes mest i digital elektronikk Arbeider med ”rektangulære kurveformer” – ”firkantpulser” – ”0” og ”1” Complimentary MOS ( CMOS ) – danner en egen digital kretsfamilie CMOS gir enklere logiske kretser enn BJT CMOS trekker vesentlig mindre strøm enn BJT-kretser trenger nesten ingen ”input current” CMOS inverter Bruker både n-kanal og p-kanal (complimentary) MOS. Når Q1 er åpen er Q2 stengt - og omv. Det betyr meget lite strømtrekk når kretsen arbeider statisk.