Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess

Slides:



Advertisements
Liknende presentasjoner
Elektrisitetslære og elektronikk Vitensenteret, Trondheim
Advertisements

2008 INF3400 Interkonnekt Introduksjon INF3400 Interkonnekt Motstand i interkonnekt.
INF3400 Del 13 Teori Interkonnekt. Introduksjon INF3400 Interkonnekt Motstand i interkonnekt.
Felteffekt-transistor FET
Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.10 INF 1411 Oppsummeringsspørsmål Transistorer INF
Forelesning nr.14 INF 1411 Elektroniske systemer Oppsummering INF
Elektriske Anlegg og Høgspenningsteknikk Innleveringsoppgave
Bygg en ”Påskeby” Av Kristin & Silje.
Mappeoppgave i Verksted og konstruksjon
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
INF3400 Del 15 Avansert CMOS. Hvordan er fremtiden for CMOS? Introduksjonstidspunkt av ulike teknologier:Transistor lengde, wire pitch og maks. effekt:
2007 INF3400/4400 våren 2007 Tidsforsinkelse i logiske kjeder Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter Logisk effort i kjede: Elektrisk effort i kjede:
Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter
Tidsforsinkelse i logiske kjeder
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
Forelesning nr.14 INF 1411 Elektroniske systemer Oppsummering INF
INF3400 Del 5 Løsningsforslag Statisk digital CMOS.
Behov for plater Mål: En møbelfabrikk har en kappliste som definerer materialbehovet framover for alle komponenter som skal sages ut av plater. Vi skal.
INF3400/4400 Effektforbruk og statisk CMOS
2007 INF3400/4400 våren 2007 Effektforbruk og statisk CMOS Svak inversjon Når gate source spenningen er lavere enn terskelspenningen: der: Korte kanaler.
INF3400/4400 våren 2007 Grunnleggende digital CMOS
INF3400 Del 3 Oppgaver Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.
INF1400 – Kap 10 CMOS Teknologi. Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS teknologiutvikling CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR.
INF3400 Del 1 Oppgaver Grunnleggende Digital CMOS.
Velkommen til Newtonrommet!
Effektforbruk og statisk CMOS
INF3400 Del 8 Effektforbruk og statisk CMOS. Introduksjon til effektforbruk Effektforbruk: Effektforbruk over en tidsperiode T: Gjennomsnittelig effektforbruk.
INF3400 Del 6 Tidsforsinkelse i logiske kjeder. Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter Logisk effort i kjede: Elektrisk effort i kjede: Forgreiningseffort:
rπ og gm kalles småsignalparametere
INF3400 Våren INF3400 våren Forelesninger: 1Tid og sted: Tirsdag – 14.00, Perl2453 Onsdag – 14.00, Shell1456 2Foreleser: Yngvar.
Mål: Sortere materialer i klasser ut fra lengde.
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
INF3400 Del 5 Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
2007 INF3400/4400 våren 2007 Sekvensielle kretser Introduksjon til sekvensielle kretser.
INF3400 Del 9 Dynamisk CMOS. Introduksjon til dynamisk CMOS KomplementærPseudo nMOSDynamisk ” Footed ” dynamisk.
INF3400 Del 9 Teori Dynamisk CMOS. Introduksjon til dynamisk CMOS Komplement ær Pseudo nMOS Dynamisk ”Footed” dynamisk.
INF3400 Del 3,4,5-8 Repetisjon Statisk digital CMOS.
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS MOS transistor i tverrsnitt Halvleder Silisum:pn overgang:
INF3400 Del 8 Oppgaver Effektforbruk og statisk CMOS.
Transistorforsterkere - oppsummering
2008 INF3400/4400 Del 5 Statisk digital CMOS Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
INF3400 Del Repetisjon Transistor modell. Transistor tverrsnitt: nMOS transistor pMOS transistor.
INF3400 Del 8 Teori Effektforbruk og statisk CMOS.
2008 INF3400/4400 Del 3 Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor CMOS inverter og DC karakteristikk CMOS inverter:
INF3400 Del 1 Teori Grunnleggende Digital CMOS. INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V.
INF3400 Del 2 Teori Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess.
INF3400 Del 1 Teori og oppgaver Grunnleggende Digital CMOS.
1 SKOLELABORATORIET Grunnleggende elektronikk Av Nils Kr. Rossing Skolelaboratoriet ved NTNU.
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer.
Transistorer og lysdioder - elektronikkens arbeidshester
Celler er så små at vi bruker mikroskop for å undersøke dem.
Introduksjon til dynamisk CMOS
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
Grunnleggende Digital CMOS
INF3400 Del 3 Teori Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.
Introduksjon til dynamisk CMOS
FET (Field Effect Transistor)
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS.
INF3400 Del 9 Oppgaver Dynamisk CMOS.
Grunnleggende Digital CMOS
INF3400 Del Repetisjon.
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS.
INF3400 Del 9 Teori Dynamisk CMOS.
Felt-Effekt-Transistor FET
Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess
Utskrift av presentasjonen:

Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess INF3400 Del 2 Oppgaver Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess

INF3400 Grunnleggende digital CMOS May 2004 Oppgave Gitt en nMOS transistor i en 180nm CMOS prosess med bredde W lik 0.36mm og lengde L lik 0.18mm. Anta at tykkelsen på tynnoksid tox =50Å og at mobiliteten m = 200cm / Vs. Beregn b og gatekapasitans for transistoren: 2 Cox: b: Cg: INF3400 Grunnleggende digital CMOS Håvard Kolle Riis

May 2004 Eksamensoppgave 2005 Gitt enkle transistor modeller for nMOS transistor, skisser strøm som funksjon av Vgs for ulike Vds spenninger. Marker terskelspenning, lineært område og metning på skissen. Terskelspenning Vt Lineært område Metning Håvard Kolle Riis