INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.

Slides:



Advertisements
Liknende presentasjoner
Velkommen Innledning - Stig.
Advertisements

2008 INF3400 Interkonnekt Introduksjon INF3400 Interkonnekt Motstand i interkonnekt.
INF3400 Del 13 Teori Interkonnekt. Introduksjon INF3400 Interkonnekt Motstand i interkonnekt.
Felteffekt-transistor FET
INF3400 Digital mikroelektronikk
Forelesning nr.10 INF 1411 Oppsummeringsspørsmål Transistorer INF
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
2007 INF3400/4400 våren 2007 Tidsforsinkelse i logiske kjeder Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter Logisk effort i kjede: Elektrisk effort i kjede:
Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter
Tidsforsinkelse i logiske kjeder
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 11 Teori Latcher og vipper.
2008 INF3400 Latcher og vipper Konvensjonelle CMOS latcher Problemer: 1.Terskelfall 2.Ukjent last 3.Ukjent drivegenskaper Definert drivegenskaper Definert.
INF3400 Del 5 Løsningsforslag Statisk digital CMOS.
Kapping av plater Mål: Vi skal lage komponenter for en møbelfabrikk ut fra standardiserte plater på 12 x 24 dm. Komponentene har lengde og bredde oppgitt.
INF3400 Del 10 Løsningsforslag Sekvensielle kretser.
INF3400/4400 Effektforbruk og statisk CMOS
2007 INF3400/4400 våren 2007 Effektforbruk og statisk CMOS Svak inversjon Når gate source spenningen er lavere enn terskelspenningen: der: Korte kanaler.
INF3400/4400 våren 2007 Grunnleggende digital CMOS
INF3400 Del 3 Oppgaver Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.
INF1400 – Kap 10 CMOS Teknologi. Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS teknologiutvikling CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR.
INF3400 Del 1 Oppgaver Grunnleggende Digital CMOS.
Velkommen til Newtonrommet!
Effektforbruk og statisk CMOS
INF3400 Del 8 Effektforbruk og statisk CMOS. Introduksjon til effektforbruk Effektforbruk: Effektforbruk over en tidsperiode T: Gjennomsnittelig effektforbruk.
INF3400 Del 6 Tidsforsinkelse i logiske kjeder. Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter Logisk effort i kjede: Elektrisk effort i kjede: Forgreiningseffort:
Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
INF3400 Del 5 Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
2008 INF3400 Del 10 Sekvensielle kretser Introduksjon til sekvensielle kretser.
2007 INF3400/4400 våren 2007 Sekvensielle kretser Introduksjon til sekvensielle kretser.
INF3400 Del 10 Sekvensielle kretser. Introduksjon til sekvensielle kretser.
INF3400 Del 9 Dynamisk CMOS. Introduksjon til dynamisk CMOS KomplementærPseudo nMOSDynamisk ” Footed ” dynamisk.
INF3400 Del 3,4,5-8 Repetisjon Statisk digital CMOS.
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS MOS transistor i tverrsnitt Halvleder Silisum:pn overgang:
INF3400 Del 8 Oppgaver Effektforbruk og statisk CMOS.
2008 INF3400/4400 Del 5 Statisk digital CMOS Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
2009 INF3400 Passtransistor- og differensiell CMOS logikk CMOS med transmisjonsporter.
2008 INF3400 Latcher og vipper CMOS med transmisjonsporter.
INF3400 Del 9-12 Repetisjon Dynamisk CMOS og sekvensielle kretser.
INF3400 Del Repetisjon Transistor modell. Transistor tverrsnitt: nMOS transistor pMOS transistor.
INF3400 Del 8 Teori Effektforbruk og statisk CMOS.
2008 INF3400/4400 Del 3 Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor CMOS inverter og DC karakteristikk CMOS inverter:
INF3400 Del 1 Teori Grunnleggende Digital CMOS. INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V.
INF3400 Del 2 Teori Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess.
INF3400 Del 1 Teori og oppgaver Grunnleggende Digital CMOS.
1 SKOLELABORATORIET Nils Kr. Rossing En praktisk introduksjon til differensialligninger av Nils Kr. Rossing Skolelaboratoriet ved NTNU.
Celler er så små at vi bruker mikroskop for å undersøke dem.
Introduksjon til dynamisk CMOS
Tidsforsinkelse i logiske kjeder
INF3400 Del 11 Teori Latcher og vipper.
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 11 Teori Latcher og vipper.
Grunnleggende Digital CMOS
INF3400 Del 3 Teori Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.
Introduksjon til dynamisk CMOS
Tidsforsinkelse i logiske kjeder
INF3400/4400 Effektforbruk og statisk CMOS
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS.
INF3400 Del 9 Oppgaver Dynamisk CMOS.
Interkonnekt, design av ledere og designmarginer
CMOS fabrikasjonsprosess og utleggsregler
Grunnleggende Digital CMOS
INF3400 Del Repetisjon.
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS.
Felt-Effekt-Transistor FET
Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess
Utskrift av presentasjonen:

INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler

Introduksjon til utleggsregler Enkle utleggsregler: Inverter

Enkle MOS kapasitans modeller Gatekapasitens: der

Oppgave 2.4 En transistor med lengde 90nm har en tykkelse på gateoksid(t ox ) lik 16Å. Hva blir gatekapasitans per mikrometer? Løsning:

Gatekapasitans detaljer Ubiasert gatekapasitans: Overlappskapasitanser (statiske): Operasjonsområde AV: Operasjonsområde LINEÆR: Operasjonsområde METNING: Gatekapasitans:

Diffusjonskapasitans detaljer Diffusjonskapasitans source: der:

Oppgave 2.5 Beregn diffusjonskapasitans C db for en transistor med en (minimum) kontakt på drain i en 0.6μm prosess når drainspenningen er 0V og VDD = 5V. Anta at substratet er jordet. Parameterverdier er C J = 0.42fF/μm2, M J = 0.44, C JSW = 0.33fF/μm, M JSW = 0.12 og Ψ 0 = 0.98V ved romtemperatur. Løsning:

ENKLE RC modeller Motstand i transistor:

Transmisjonsport:

RC forsinkelsesmodeller

Seriekobling av transistorer: Parallellkobling av transistorer: Eksempel NAND3:

Transisjon fra 0 til 1:Transisjon fra 1 til 0:

RC modell

Oppgave C Tegn transistorskjematikk for en toinngangs NOR port med transistor bredder slik at effektiv motstand i nedtrekket blir lik en enhetsinverter. Beregn stige og fall forsinkelse når porten skal drive h identiske NOR porter ved å bruke enkle RC modeller. Løsning:

Hastighetsmetning Hastigheten til ladningsbærere: der: Transistormodeller: AV LINEÆR METNING Metningsspenning AV LINEÆR METNING