INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.

Slides:



Advertisements
Liknende presentasjoner
Materials and Chemistry 1 PPM reaktor for karbon nanorør produksjon.
Advertisements

Dimensjonering av bjelkelag med tabell Og valg av yttervegg med tabell
Komplett avstandstabell. LOG530 Distribusjonsplanlegging 2 2 Noen ganger er det behov for en komplett avstandstabell mellom alle nodene i et nettverk.
2008 INF3400 Interkonnekt Introduksjon INF3400 Interkonnekt Motstand i interkonnekt.
INF3400 Del 13 Teori Interkonnekt. Introduksjon INF3400 Interkonnekt Motstand i interkonnekt.
Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger
Felteffekt-transistor FET
Kapittel 14 Simulering.
Lokalisering av avfallsanlegg - størst minsteavstand.
Lokalisering og minimum maxavstand. LOG530 Distribusjonsplanlegging 2 2 I mange situasjoner ønsker en å finne lokaliseringer som minimerer maksimalavstanden.
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
INF3400 Del 15 Avansert CMOS. Hvordan er fremtiden for CMOS? Introduksjonstidspunkt av ulike teknologier:Transistor lengde, wire pitch og maks. effekt:
2007 INF3400/4400 våren 2007 Tidsforsinkelse i logiske kjeder Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter Logisk effort i kjede: Elektrisk effort i kjede:
Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter
Tidsforsinkelse i logiske kjeder
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 11 Teori Latcher og vipper.
2008 INF3400 Latcher og vipper Konvensjonelle CMOS latcher Problemer: 1.Terskelfall 2.Ukjent last 3.Ukjent drivegenskaper Definert drivegenskaper Definert.
INF3400 Del 5 Løsningsforslag Statisk digital CMOS.
Kapping av plater Mål: Vi skal lage komponenter for en møbelfabrikk ut fra standardiserte plater på 12 x 24 dm. Komponentene har lengde og bredde oppgitt.
Behov for plater Mål: En møbelfabrikk har en kappliste som definerer materialbehovet framover for alle komponenter som skal sages ut av plater. Vi skal.
INF3400 Del 10 Løsningsforslag Sekvensielle kretser.
INF3400/4400 Effektforbruk og statisk CMOS
2007 INF3400/4400 våren 2007 Effektforbruk og statisk CMOS Svak inversjon Når gate source spenningen er lavere enn terskelspenningen: der: Korte kanaler.
INF3400/4400 våren 2007 Grunnleggende digital CMOS
INF3400 Del 3 Oppgaver Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.
INF1400 – Kap 10 CMOS Teknologi. Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS teknologiutvikling CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR.
INF3400 Del 1 Oppgaver Grunnleggende Digital CMOS.
Effektforbruk og statisk CMOS
INF3400 Del 8 Effektforbruk og statisk CMOS. Introduksjon til effektforbruk Effektforbruk: Effektforbruk over en tidsperiode T: Gjennomsnittelig effektforbruk.
INF3400 Del 6 Tidsforsinkelse i logiske kjeder. Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter Logisk effort i kjede: Elektrisk effort i kjede: Forgreiningseffort:
Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
INF3400 Del 5 Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
2008 INF3400 Del 10 Sekvensielle kretser Introduksjon til sekvensielle kretser.
2007 INF3400/4400 våren 2007 Sekvensielle kretser Introduksjon til sekvensielle kretser.
INF3400 Del 10 Sekvensielle kretser. Introduksjon til sekvensielle kretser.
INF3400 Del 9 Dynamisk CMOS. Introduksjon til dynamisk CMOS KomplementærPseudo nMOSDynamisk ” Footed ” dynamisk.
INF3400 Del 3,4,5-8 Repetisjon Statisk digital CMOS.
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS MOS transistor i tverrsnitt Halvleder Silisum:pn overgang:
INF3400 Del 8 Oppgaver Effektforbruk og statisk CMOS.
2008 INF3400/4400 Del 5 Statisk digital CMOS Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
INF3400 Del Repetisjon Transistor modell. Transistor tverrsnitt: nMOS transistor pMOS transistor.
INF3400 Del 8 Teori Effektforbruk og statisk CMOS.
Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger
2008 INF3400/4400 Del 3 Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor CMOS inverter og DC karakteristikk CMOS inverter:
INF3400 Del 1 Teori Grunnleggende Digital CMOS. INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V.
INF3400 Del 2 Teori Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess.
INF3400 Del 1 Teori og oppgaver Grunnleggende Digital CMOS.
Celler er så små at vi bruker mikroskop for å undersøke dem.
Introduksjon til dynamisk CMOS
Tidsforsinkelse i logiske kjeder
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
Grunnleggende Digital CMOS
INF3400 Del 3 Teori Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor.
Introduksjon til dynamisk CMOS
Tidsforsinkelse i logiske kjeder
INF3400/4400 Effektforbruk og statisk CMOS
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS.
INF3400 Del 9 Oppgaver Dynamisk CMOS.
CMOS fabrikasjonsprosess og utleggsregler
Grunnleggende Digital CMOS
Кружни таласовод.
INF3400 Del Repetisjon.
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS.
Felt-Effekt-Transistor FET
Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess
Utskrift av presentasjonen:

INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler

Oppgave 2.4 En transistor med lengde 90nm har en tykkelse på gateoksid(t ox ) lik 16Å. Hva blir gatekapasitans per mikrometer? Løsning:

Oppgave 2.5 Beregn diffusjonskapasitans C db for en transistor med en (minimum) kontakt på drain i en 0.6μm prosess når drainspenningen er 0V og VDD = 5V. Anta at substratet er jordet. Parameterverdier er C J = 0.42fF/μm2, M J = 0.44, C JSW = 0.33fF/μm, M JSW = 0.12 og Ψ 0 = 0.98V ved romtemperatur. Løsning:

Oppgave C Tegn transistorskjematikk for en toinngangs NOR port med transistor bredder slik at effektiv motstand i nedtrekket blir lik en enhetsinverter. Beregn stige og fall forsinkelse når porten skal drive h identiske NOR porter ved å bruke enkle RC modeller. Løsning: