INF3400 Del 13 Teori Interkonnekt. Introduksjon INF3400 Interkonnekt Motstand i interkonnekt.

Slides:



Advertisements
Liknende presentasjoner
Ole Petter Sørensen Trainor as
Advertisements

Presentasjon av isolasjonstesting av porselensisolator
2008 INF3400 Interkonnekt Introduksjon INF3400 Interkonnekt Motstand i interkonnekt.
Forelesning nr.4 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.5 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.5 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.5 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.5 INF 1411 Oppsummeringsspørsmål
Støy Stoff fra Fraden kap 5.13 (Støy) Fraden kap 5.11 (Brokoblinger)
Likestrøm Ems – elektromotorisk spenning (s.15) Kjemisk (batteri)
Strøm / Resistans / EMS.
Kondensator.
Formelmagi 34-1 (34.2) Spenning indusert ved bevegelse (motional emf)
Formelmagi 30-1 Avledet formel/ grunnleggende sammenheng
Eksempel på Lav-pass filter (analog signalbehandling)
Elektrisitetslære Vitensenteret, Trondheim
INF3400 Del 15 Avansert CMOS. Hvordan er fremtiden for CMOS? Introduksjonstidspunkt av ulike teknologier:Transistor lengde, wire pitch og maks. effekt:
Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter
Tidsforsinkelse i logiske kjeder
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 5 Løsningsforslag Statisk digital CMOS.
INF3400 Del 10 Løsningsforslag Sekvensielle kretser.
INF3400/4400 Effektforbruk og statisk CMOS
2007 INF3400/4400 våren 2007 Effektforbruk og statisk CMOS Svak inversjon Når gate source spenningen er lavere enn terskelspenningen: der: Korte kanaler.
INF3400/4400 våren 2007 Grunnleggende digital CMOS
INF3400 Del 1 Oppgaver Grunnleggende Digital CMOS.
Effektforbruk og statisk CMOS
INF3400 Del 8 Effektforbruk og statisk CMOS. Introduksjon til effektforbruk Effektforbruk: Effektforbruk over en tidsperiode T: Gjennomsnittelig effektforbruk.
INF3400 Del 6 Tidsforsinkelse i logiske kjeder. Tidsforsinkelse i kjede av logiske porter Logisk effort i kjede: Elektrisk effort i kjede: Forgreiningseffort:
Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess
Ladning-> Spenning. Kapasitans -> Spenning Brûel & Kjær: Microphone engineering handbook
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
INF3400 Del 5 Statisk digital CMOS. Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS Transistor som bryter PÅAV PÅAV Logisk 0 = gnd (V SS ) Logisk 1 = V DD s = source g = gate d = drain Source terminal.
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
2008 INF3400 Del 10 Sekvensielle kretser Introduksjon til sekvensielle kretser.
2007 INF3400/4400 våren 2007 Sekvensielle kretser Introduksjon til sekvensielle kretser.
INF3400 Del 10 Sekvensielle kretser. Introduksjon til sekvensielle kretser.
INF3400 Del 9 Dynamisk CMOS. Introduksjon til dynamisk CMOS KomplementærPseudo nMOSDynamisk ” Footed ” dynamisk.
INF3400 Del 9 Teori Dynamisk CMOS. Introduksjon til dynamisk CMOS Komplement ær Pseudo nMOS Dynamisk ”Footed” dynamisk.
INF3400 Del 3,4,5-8 Repetisjon Statisk digital CMOS.
2008 INF3400 Grunnleggende digital CMOS MOS transistor i tverrsnitt Halvleder Silisum:pn overgang:
2008 INF3400/4400 Del 5 Statisk digital CMOS Elmore forsinkelsesmodell NAND3 RC modell: RC modell NANDN: Forsinkelsesmodell:
INF3400 Del Repetisjon Transistor modell. Transistor tverrsnitt: nMOS transistor pMOS transistor.
Magnetronen Viktig komponent i radar og mikrobølgjeovn Enkel modell for virkemåten til magnetronen Går ikkje inn på detaljert forklaring av vekselverknaden.
INF3400 Del 8 Teori Effektforbruk og statisk CMOS.
Elektronisk løgndetektor
INF3400 Del 2 Teori Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess.
INF3400 Del 1 Teori og oppgaver Grunnleggende Digital CMOS.
ELEKTRISITET. Noen viktige ord: HVA ER ELEKTRISITET? Hva er elektrisk ladning?
Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser.
Forelesning nr.7 INF 1411 Elektroniske systemer Tidsrespons til reaktive kretser Integrasjon og derivasjon med RC-krester.
Introduksjon til dynamisk CMOS
Tidsforsinkelse i logiske kjeder
INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler.
INF3400 Del 10 Teori Sekvensielle kretser.
Introduksjon til dynamisk CMOS
Tidsforsinkelse i logiske kjeder
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS.
INF3400 Del 9 Oppgaver Dynamisk CMOS.
Interkonnekt, design av ledere og designmarginer
CMOS fabrikasjonsprosess og utleggsregler
Kondensator - Capacitor
INF3400 Del 5 Teori Statisk digital CMOS.
INF3400 Del 9 Teori Dynamisk CMOS.
Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS prosess
Utskrift av presentasjonen:

INF3400 Del 13 Teori Interkonnekt

Introduksjon

INF3400 Interkonnekt Motstand i interkonnekt

Kapasitans i interkonnekt Kapasitans:

Forsinkelse i interkonnekt

Crosstalk Ladning:

Crosstalk støy: Drevne noder: der:

Induktans Indusert spenning: Tidsforsinkelse (lys): Hastighet (lys): Induktans:Skinn dybde: Eksempel: Finn skinn dybden for signaler med 100ps i en kobber leder (  =1.7e-8  m). Anta at klokkefrekvensen til systemet er 1.67e9Hz.

Lengde på leder der induktans har betydning: Betydningen for integrerte kretser Eksempel: Anta et signal i metall 2 med en egenmotstand 0.05Ω/square og en bredde på 0.5µm. Kapasitansen er 0.2fF/µm og induktansen er 0.5pH/µm. Finn hastigheten til signalet og finn lengden der induktansen er signifikant (som funksjon av stigetid). Hastighet : Induktans har betydning: I tillegg: