’Typical feature size’ vs tid for Si-DRAM (Moore’s lov) Figure 9.3.

Presentasjon om: "’Typical feature size’ vs tid for Si-DRAM (Moore’s lov) Figure 9.3."— Utskrift av presentasjonen:

1 ’Typical feature size’ vs tid for Si-DRAM (Moore’s lov) Figure 9.3

2 13/11 - 1997 Bipolar Transistor

3

4

5 Bipolar Junction Transistor (BJT)  Gjennombrudd for halvlederelektronikk 1948, oppfinning av transistoren; Bardeen, Brattain og Shockley, Bell Laboratories  Både elektroner og hull brukes for funksjonen (injeksjon og oppsamling av minoritetsbærare)  betegningen bipolar  To hovedområden for anvendelse; strømforsterkning og switching; f.eks. mobiltelefoner og satelliter (radio- kommunikasjon), datorer og minnen  Oftest npn-transistorer som brukes på grunn av den høye elektronmobiliteten  Normalt raskere enn MOSFET men bruker mer effekt…og forskjellen i ’raskhet’ har blitt mindre…

6 Bipolar p-n-p transistor Figure 7.2

7 Figure 7.3 Fluks av e - og h + i BJT

8 n-p-n BJT EmitterCollectorBase Figure 7.5

9 Figure 7.6 Simplified p-n-p transistor geometry used in the calculations. ForspendRevers-spend

10 Strømmer i bipolar p-n-p transistor (7-18a) (7-18b) (7-19)

11 For god transistorvirken  B  1; dvs tunn base så at W base << L p,n    1;dvs strømmen gjennom E-B-overgangen skal bestå av min.bærarere injicerade fra emittern. Dette realiseres via hard doping av E relativt B.

12 Basviddmodulasjon (Early-effekt) W(V 0 ) Early spenning β =I C /I B =  p /  t øker med |V CB | Figure 7.18

13 Energibarriere i homo-BJT og HBT BJT HBT Figure 7.26

14