PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition. DC Glow Discharge.

Presentasjon om: "PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition. DC Glow Discharge."— Utskrift av presentasjonen:

1 PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

2 DC Glow Discharge

3 Deponering av isolatormateriale DC Glow Discharge virker ikke Bygger seg opp positiv ladning på katoden Bruker høyfrekvent vekselspenning (MHz) Utnytter forskjellen i mobilitet Bare elektronene reagerer på vekselspenningen Danner sone nær elektrodene med få elektroner

4 Lavfrekvent firkantpuls Input square wave: Voltage response: Expanded view of positive ion response Elektronstrøm Ionestrøm

5 Plasma- og overflatespenning Eksitasjon: høyfrekvent sinuspuls

6 Plasma uten gnist PECVD trenger ingen startgnist Vekselspenningen får elektronene i atomene i gassen til å oscillere Ved støt kan de ionisere atomene Vi er ikke avhengig av sekundærelektroner

7 Men hvordan ser egentlig et PECVD-kammer ut?

8 PECVD på IFE

9 Dybdeprofil av Si 3 N 4 silicon nitridesilicon oxynitride Deposition conditions:Flow Rates: Power:300 WElectrode spacing:2 cm SiH 4 :1550 sccm Pressutre:1.2 TorrDeposition Rate:7 nm/min NH 3 : 90 sccm Temperature:300 °C (NO 2 : 8 sccm)

10 Deponering av Si 3 N 4

11 Men hva er dette?

12 Referanser G. S. Anderson et.al., J. Appl. Phys. 33, 2991 (1962) H. S. Butler and G. S. Kino, Phys. Fluids 6, 1346 (1963) P. D. Davidse and L. I. Maissel, J. Appl. Phys. 37, 574 (1966) H. R. Koenig and L. I. Maissel, IBM J. Res. Develop. 14, 168 (1970) J. S. Logan, IBM J. Res. Develop. 14, 172 (1970) L. I. Maissel et.al., IBM J. Res. Develop. 14, 176 (1970) R. H. Bruce, J. Appl. Phys. 52, 7064 (1981) W. A. P. Claasen, J. Electrochem. Soc. 132, 893 (1985) V. S. Nguyen et.al., J. Electrochem. Soc. 131, 2348 (1984)